Graphit in Halbleiterqualität-
Als professioneller Hersteller von Graphitmaterialquellen bietet Jincheng Graphite hoch{0}}reinen und hoch-stabilen Halbleitergraphit- an, der speziell für die Waferverarbeitung, Vakuumausrüstung und Hochtemperaturprozesse entwickelt wurde. Es verfügt über Kernvorteile wie hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe chemische Stabilität und ausgezeichnete mechanische Festigkeit und wird häufig in der Halbleiterfertigung eingesetzt.
Kernstärken
Ultra-Substrat aus reinem Graphit
Kohlenstoffgehalt größer oder gleich 99,99 %. Durch die Plasmabehandlung werden Verunreinigungen entfernt, wodurch die strengen Anforderungen an hohe Sauberkeit in der Halbleiterfertigung erfüllt und eine Kontamination der Waferoberfläche verhindert wird.
Hervorragende Wärmeleitfähigkeit
Wärmeleitfähigkeit bis zu 200-300 W/m·K. Überträgt Wärmeenergie schnell und gleichmäßig, sorgt so für eine gleichmäßige Wärmeverteilung des Wafers bei Hochtemperaturprozessen und reduziert Ausbeuteverluste.
Beständig gegen extreme Umgebungen
Toleriert gegenüber hohen Temperaturen von 1500 Grad und starker Säure- und Alkalikorrosion. Geeignet für komplexe Prozesse wie das Glühen, Abscheiden und Ätzen von Halbleiterwafern, wodurch die Lebensdauer der Ausrüstung verlängert wird.
Anwendungsszenario
Wafer-Hochtemperatur-Verarbeitungsausrüstung
Als Material der Heizkammer hält es extremen Temperaturschwankungen stand und gewährleistet so die thermische Stabilität des Wafers bei Prozessen wie Glühen und Sintern.
Vakuum-Wärmebehandlungssystem
Durch die Kombination der geringen Reibungseigenschaften von Graphit eignet es sich für Hochvakuumumgebungen zum Erhitzen bei hohen Temperaturen und reduziert die durch Gasadsorption verursachte Kontamination.
Heißpressanlagen für Halbleiterverpackungen
Erzielung einer schnellen und gleichmäßigen Erwärmung durch hohe Wärmeleitfähigkeit, Verbesserung der Effizienz von Verpackungsprozessen und Reduzierung der Energieverbrauchskosten.
Technische Parameter
| Kohlenstoffgehalt | Größer oder gleich 99,99 % |
| Wärmeleitfähigkeit | 200 - 300 W/m·K (Testbedingungen: 25 Grad) |
| Druckfestigkeit | Größer oder gleich 40 MPa |
| Betriebstemperaturbereich | -200 Grad bis 1500 Grad |
| Oberflächenbehandlung | Plasmapolieren / Beschichten (anpassbar) |
Qualitätssicherung von Jincheng Graphit
Basierend auf 20 Jahren Erfahrung in der Graphitmaterialforschung setzt Jincheng Graphite eine patentierte Plasmabehandlungstechnologie und einen Nano-Verbundprozess ein, um die Stabilität von Graphit in Halbleiterqualität unter extremen Bedingungen sicherzustellen. Es ist nach dem Qualitätssystem ISO 9001 und den Luft- und Raumfahrtnormen AS9100 zertifiziert und erfüllt die Anforderungen von Szenarien mit hoher Sauberkeit und hoher Zuverlässigkeit.
Kooperationsverpflichtung
Jincheng Graphite bietet maßgeschneiderte Graphitlösungen in Halbleiterqualität-, die sowohl die Kleinserien-Testproduktion als auch die Großserien-Massenproduktion unterstützen und so einen kurzen Lieferzyklus und kontrollierbare Kosten gewährleisten. Über das globale Logistiknetzwerk und lokale Serviceteams bietet das Unternehmen seinen Kunden effiziente und zuverlässige integrierte Graphitmaterialdienstleistungen und trägt so zur Verbesserung der Halbleiterfertigungsprozesse bei.
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