I. Graphittiegel für Einkristall-Ziehofen (CZ-Kernverbrauchsmaterial für Einkristall-Silizium)
Branchenwissenspunkte
Verwendung: Zur Aufnahme von geschmolzenem Siliziummaterial, Bereitstellung eines Formhohlraums für das Wachstum einkristalliner Siliziumstäbe, geeignet für 12/14/16-Zoll große Einkristallöfen;
Herausforderungen am Arbeitsplatz: Langfristiges Eintauchen in 1420 Grad heiße Siliziumflüssigkeit; gewöhnlicher Graphit neigt dazu, dass Silizium austritt, Risse bekommt und Verunreinigungen wie Asche einbringt;
Harte Branchenstandards: Der Aschegehalt muss kleiner oder gleich 20 ppm sein; Andernfalls könnten die Siliziumstäbe schwarze Flecken aufweisen oder die Anforderungen an die Widerstandsrate nicht erfüllen.
Technische Kernparameter
| Testgegenstand | Standardparameter |
|---|---|
| Rohstoff | Ultra-isostatischer Graphit mit feiner Körnung |
| Aschegehalt | Weniger als oder gleich 20 ppm |
| Schüttdichte | 1,88~1,93 g/cm³ |
| Servicezyklus | 180–240 Ofenläufe |
| Thermoschockbeständigkeit | Keine Risse nach 100-maligem Aufheiz--Abkühlzyklus |
2.PECVD-Filmabscheidungs-Graphitboot (Siliziumwafer-Abscheidungsträger)
Branchenwissenspunkte
1. Funktion: Befördert 182/210-mm-Siliziumwafer in die Abscheidungskammer, um die Nitridbeschichtung der Batteriezellen abzuschließen;
2. Branchentrend: Große dünne Wafer, schmales Schlitzdesign, das einzelne Boot kann 30 % mehr Wafer transportieren als zuvor, geeignet für automatisierte Produktionslinien;
3. Verlustlogik: Das Plasma bombardiert kontinuierlich die Oberfläche, das Graphitschiffchen ohne Beschichtung muss nach 300 Zyklen ausgetauscht werden; Die Lebensdauer des SiC-beschichteten Modells wird um das Zweifache erhöht.
Technische Kernparameter
| Testgegenstand | Standardparameter |
|---|---|
| Wafer-kompatibel | 182 mm / 210 mm Siliziumwafer |
| Bearbeitungstoleranz | ±0,02 mm Schlitzspalt |
| Beschichtungsoption | SiC-Anti-Plasmabeschichtung |
| Einzelne Lebensdauer | 300-mal (unbeschichtet) / 700-mal (SiC-beschichtet) |
| Offene Porosität | Weniger als oder gleich 0,15 % |
3.Graphit-Heizelement (Heizkernkomponente des Einkristallofens)
Branchenwissenspunkte
1. Funktion: Strahlungsheizung im Vakuumofen, Aufrechterhaltung einer konstanten Temperatur der Siliziumschmelze, Bestimmung der Stabilität des Durchmessers des Kristallstabs;
2. Leistungsanforderungen: Der Widerstand sollte gleichmäßig und ohne Abweichungen sein. Eine lokale Überhitzung kann zum Bruch des Siliziumstabs oder zu Gitterfehlern führen.
3. Trend zur Abschaffung der Industrie: Heizelemente aus grob-körnigem Graphit werden nach und nach durch ultra-fein-körnige isostatische Heizelemente ersetztGraphit pressen.
| Testgegenstand | Standardparameter |
|---|---|
| Arbeitstemp | Maximal 1600 Grad kontinuierlich |
| Widerstandsabweichung | Weniger als oder gleich 3 % im Ganzen |
| Wärmeleitfähigkeit | Größer oder gleich 140 W/(m·K) |
| Oxidationsbeständigkeit | Stabil unter vakuuminerter Atmosphäre |
| Lebensdauer | 1200 Ofenzyklen |
IV. Graphit-Umleitungszylinder/Thermoschirm (Einzelkristall-Isolierungs-Umleitungskomponente)
Branchenwissenspunkt
Zweck: Isolierung der kalten Zone des Ofenkörpers, Führung des Argongasstroms, Stabilisierung des Wärmefeldgradienten des Kristallstabs und Reduzierung von Versetzungsfehlern;
Industrieprozess: Doppel{0}}schichtige Verbundstruktur mit einer Innenschicht mit hoher -Dichte und einer isolierenden Graphitschicht mit niedriger -Dichte;
Häufige Fehler: Eine Verformung des Wärmeschirms führt zu Schwankungen in der Dicke des Siliziumstabs und zu einer Verringerung der Batterieumwandlungseffizienz um 0,3 % bis 0,8 %.
V. Saatkristallspindel + Graphit-Zugstange (Kristallzieh-Aufhängungskomponente)
Branchenwissenspunkt
Zweck: Halten des Impfkristalls und Ziehen, um einen einkristallinen Siliziumstab zu bilden. Es kann langfristige Hin- und Herbewegungen und wechselnde Kälte- und Hitzebedingungen durchlaufen.
Materialauswahllogik: Graphit mit extrem hoher Biegefestigkeit. Es ist beim Heben und Ziehen nicht bruchanfällig, wodurch die Verschwendung der gesamten Charge an Siliziummaterialien vermieden wird.
Branchenkontrolle: Der Gewichtsfehler jedes Teils wird streng kontrolliert, um zu verhindern, dass sich der Schwerpunkt beim Ziehen verschiebt.
VI. Polykristalline Barrengraphitform (配套 für DS Ingot Furnace)
Branchenwissenspunkte
Verwendung: Enthält Siliziumflüssigkeit zum Kühlen und Formen polykristalliner Siliziumbarren. Wird hauptsächlich für kostengünstige verteilte Photovoltaik-Siliziumwafer verwendet;
Unterschiedliche Betriebsbedingungen: Im Vergleich zu Einkristall-Heizsystemen ist die Graphitform für den Barrenguss stärker darauf ausgerichtet, großflächiger Erosion durch die Siliziumflüssigkeit standzuhalten;
Marktstatus: Die Produktionskapazität für Polykristallin ist zurückgegangen und die Produkte werden nach und nach in Übersee- und südostasiatische Photovoltaikfabriken exportiert.
VII. SiC-beschichtete Graphitteile (Universal Upgrade Edition für alle Kategorien)
Branchenwissen
Prozessprinzip: Ein karbonisierter Siliziumfilm wird auf der Graphitoberfläche abgeschieden, um Siliziumflüssigkeit, Plasma und Hochtemperatursauerstoff zu isolieren.
Branchenwert: Die Lebensdauer aller Photovoltaik-Graphitteile wird nach der Beschichtung um das 1,8- bis 2,5-fache erhöht, wodurch die Häufigkeit von Geräteabschaltungen und -austauschen verringert wird.
Anwendungsbereich: Graphitschiffchen, Tiegel und Heizelemente können mit einer Beschichtung individuell gestaltet werden.
Allgemeines Zusatzwissen zur Industrie
Rote Reinheitslinie: Der Aschegehalt der Graphitkomponenten von Photovoltaik-Siliziumwafern muss innerhalb von 20 ppm kontrolliert werden. Metallische Verunreinigungen schädigen den PN-Übergang von Photovoltaikzellen direkt;
Kostenlogik: Die SiC-Beschichtung erhöht die Beschaffungskosten für einzelne -Stücke, verringert jedoch den Gesamtverlust an Siliziumwafern aufgrund von Ausfallzeiten und Ausschuss der Produktionslinie erheblich.
Outsourcing-Markttrends: Der Bau neuer Photovoltaikfabriken in Südostasien und im Nahen Osten erhöht von Jahr zu Jahr die Nachfrage nach kompletten hoch{0}reinen Graphitheizsystemen und großen{1}großen Graphitbooten.
