Produktübersicht
Unsere Halbleiter-Graphitvorrichtungen sind präzisionsgefertigte Komponenten, die aus ultrafeinem, hochreinem isostatischem Graphit hergestellt werden. Diese Vorrichtungen wurden für kritische Prozesse in der Halbleiterfertigung entwickelt und dienen als zuverlässige Träger, Positionierungsvorrichtungen und Sinterformen für Wafer, Chips und elektronische Komponenten während der gesamten Waferverarbeitung, Geräteverpackung und Hochtemperatur-Wärmebehandlung.
Durch die strenge Kontrolle des Aschegehalts und der Schwermetallverunreinigungen erfüllen unsere Graphitarmaturen die Reinheitsstandards auf Halbleiterniveau und sind somit mit Reinraumumgebungen der Klasse 100 kompatibel. Sie minimieren effektiv Kontaminationsrisiken und sorgen für eine gleichbleibende Ertragsleistung über alle Produktionschargen hinweg. Wir bieten vollständige Anpassungsdienste an, die Ihren spezifischen Zeichnungen, Gerätemodellen und Prozessparametern entsprechen und 2-Zoll- bis 12-Zoll-Standardwafer und kundenspezifisch geformte Halbleiterbauelemente abdecken.
| Produktkategorie | Angewandte Kernprozesse | Typische Anwendungen |
|---|---|---|
| Wafer-Graphit-Tabletts/Suszeptoren | Epitaktisches Wachstum, CVD/PVD-Abscheidung, Diffusion, Oxidation, Glühen | IC-Herstellung, Leistungsgeräte, optoelektronische Chips, SiC/GaN-Verbindungshalbleiter |
| Verpackung und Sintern von Graphitvorrichtungen | Eutektisches Bonden, Vakuumsintern, Die-Attach-Positionierung, Verkapselungsausrichtung | Dioden, Transistoren, IGBT-Module, LED-Chips, MEMS-Geräte |
| PECVD-Graphitboote / Waferträger | Dünnschichtabscheidung, Ionenimplantation, Hochtemperatur-Wärmebehandlung | Verarbeitung von Siliziumwafern, Herstellung von Verbindungshalbleiterwafern |
| Testen und Sortieren von Graphitvorrichtungen | Chipprüfung, Sortierung, Alterungstestbeladung | Verpackte Chips, mikroelektronische Komponenten, Sensorgeräte |
Überragende mechanische Leistung und Verschleißfestigkeit: Die isostatische Struktur mit hoher Dichte sorgt für hervorragende Druck- und Biegefestigkeit. Die inhärente selbstschmierende Eigenschaft von Graphit reduziert den Verschleiß beim Be- und Entladevorgang, verlängert die Lebensdauer und senkt die Wartungskosten.
Hervorragende Bearbeitbarkeit: Das Material kann präzise in komplexe Geometrien mit engen Toleranzen bearbeitet werden und unterstützt so kundenspezifische Designs für spezielle Prozessanforderungen.
Kernmaterialeigenschaften
Ultrahohe Reinheit
Kohlenstoffgehalt bis zu 99,99 % – 99,999 %, Aschegehalt nur 2–5 ppm. Der streng kontrollierte Schwermetallionengehalt eliminiert das Risiko einer Metallverunreinigung von Wafern und Chips und erfüllt die Anforderungen moderner Halbleiterprozesse. Die optionale SiC-Beschichtung und die antioxidative Imprägnierung verbessern die Reinheit und Haltbarkeit in Umgebungen mit Hochtemperaturvakuum und inerter Atmosphäre zusätzlich.
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Der extrem niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) gewährleistet eine minimale Dimensionsverformung selbst bei schnellen Temperaturänderungen und extrem hohen Temperaturen. Das Material behält seine strukturelle Integrität bis zu 2800 Grad im Vakuum und 2200 Grad unter Inertgas bei und weist eine hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit auf.
Warum sollten Sie sich für uns entscheiden?
Spezialisiert auf die Bereitstellung von Lösungen für Brennstoffzellen, Energiespeicher und Halbleitergraphitprodukte
Warum sollten Sie sich für unsere Produkte entscheiden?
1. Materialsystem in Halbleiterqualität: Langfristige Partnerschaften mit führenden inländischen Graphitmateriallieferanten mit strenger Materialeingangskontrolle, um eine stabile und zuverlässige Leistung sicherzustellen.
2. Präzisionsfähigkeit im Mikrometerbereich: Mehrachsige CNC-Bearbeitungszentren und professionelle Prüfgeräte garantieren eine enge Toleranzkontrolle und hohe Maßhaltigkeit über Chargen hinweg.
3. Schnelle Anpassung und Lieferung: Standard-Sonderbestellungen werden innerhalb von 7–15 Arbeitstagen geliefert. 24-Stunden technische Reaktion und schnelle Prototyping-Services für F&E-Projekte.
4. Vollständige Prozessqualitätskontrolle: Von der Rohstoffprüfung über die In-Prozess-Inspektion bis hin zur Endreinigung und Verpackung wird jeder Schritt streng kontrolliert, um Produktqualität und Sauberkeit sicherzustellen.
5. Wettbewerbsfähiger Kostenvorteil: Die vertikal integrierte Produktionskette ermöglicht eine direkte Preisgestaltung ab Werk ohne Zwischenhändleraufschlag und senkt so Ihre Beschaffungskosten.
6.Globale Handelsunterstützung: Wir unterstützen die Handelsbedingungen EXW, FOB Qingdao, CIF und DDP, akzeptieren mehrere Zahlungsmethoden und bieten professionelle Exportverpackung für eine sichere weltweite Lieferung.1.
Anfrage & Bewertung: Senden Sie uns Ihre Zeichnungen, Spezifikationen und Prozessanforderungen. Unser technisches Team führt innerhalb von 12 Arbeitsstunden eine Machbarkeitsbewertung durch und unterbreitet professionelle Vorschläge.
Lösungsbestätigung: Wir bieten einen Vorschlag zur Materialauswahl, ein detailliertes Angebot und eine Vorlaufzeit für Ihre Bestätigung.
Produktions- und Qualitätskontrolle: Nach Auftragsbestätigung starten wir die Produktion mit vollständiger Prozessrückverfolgbarkeit. Wichtige Abmessungen werden während der Fertigung zu 100 % geprüft.
Reinigung und Verpackung: Fertige Produkte werden in einer staubfreien Werkstatt gereinigt und vakuumverpackt, um Sekundärkontaminationen während des Transports zu vermeiden.
Lieferung und Kundendienst: Wir arrangieren die Lieferung über Ihre bevorzugte Versandart und bieten Nutzungshinweise, Wartungshinweise und Kundendienst.
Technische Spezifikationen
| Parameter | Standardwert | Anpassungsbereich |
|---|---|---|
| Grundmaterial | Hochreiner isostatischer Graphit | Extrudierter Graphit, geformter Graphit (je nach Anforderung) |
| Schüttdichte | 1,70 – 1,90 g/cm³ | 1,65 – 1,95 g/cm³ |
| Reinheit | 99,99 % (Standard) | 99.99% – 99.999% |
| Aschegehalt | Weniger als oder gleich 5 ppm | Weniger als oder gleich 2 ppm (Halbleiter-Premiumqualität) |
| Maximale Betriebstemperatur | 2200 Grad (inerte Atmosphäre) | Bis zu 2800 Grad (Vakuumumgebung) |
| Bearbeitungstoleranz | ±0,01 mm (Standard) | ±0,005 – ±0,05 mm |
| Kompatibilität der Wafergröße | 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch | Bis zu 12 Zoll, individuelle Formen |
| Oberflächenbehandlung | Bearbeitungszustand (Standard) | Präzisionspolitur, SiC-Beschichtung, antioxidative Imprägnierung |
Technische Spezifikationen
| Material | Hochreiner isostatischer Graphit, feine Körnung |
| Dichte | 1.75 - 1.85 g/cm3 |
| Aschegehalt | < 50 ppm (semiconductor grade) |
| Maximale Bearbeitungsgröße | Bis zu 1000 x 500 x 300 mm |
| Toleranz | ±0,02 mm (CNC-Präzision) |
| Maximale Temperatur | 2800 Grad (in inerter Atmosphäre) |
Anwendungen
- Epitaktisches Waferwachstum (SiC, GaN, GaAs)
- CVD-/PVD-Abscheidungskammern
- Diffusions- und Oxidationsöfen
- Vakuumsintern von elektronischen Bauteilen
- Befestigungsvorrichtungen für Die-Befestigung und eutektisches Bonden
- Ionenimplantation und Lithographieverarbeitung
Warum sollten Sie sich für Jincheng Graphite Fixtures entscheiden?
- 40+ JahreErfahrung in der Graphitbearbeitung seit 1984
- 5.000 Tonnen/JahrExportvolumen in 30+ Länder
- 50+ CNC-Maschinenfür Präzisionsgraphitbauteile
- Benutzerdefinierte ZeichnungenWillkommen - Kleinserien- und Prototypenbestellungen
- Schnelle Lieferung: 7–15 Tage für Standardteile, 20–30 Tage für kundenspezifische Teile
- Qualitätskontrolle: 100 % Inspektion vor dem Versand
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