Während des Kristallwachstumsprozesses bleiben die Graphitelektroden in einer Argonvakuumumgebung bei Temperaturen zwischen 1420 und 1650 Grad Celsius. Die inneren Poren von gewöhnlichem Graphit enthalten noch Restwasserdampf, organische flüchtige Substanzen sowie Spuren von Bor- und Phosphorverunreinigungen. Diese Stoffe setzen kontinuierlich Gase frei, die die Siliziumschmelze verunreinigen und dazu führen, dass der spezifische Widerstand der Siliziumscheiben driftet, die Kristallversetzungsdichte stark ansteigt und die Ausbeute an Batterien/Chips deutlich sinkt. Dieses Produkt wird einer 1600-Grad-Langzeit-Vakuumentgasungs-Vorbehandlung unterzogen, bei der die inneren freien flüchtigen Bestandteile vollständig entfernt werden. Die gesamte Gasemissionsrate beträgt nur etwa 10⁻¹⁰ Pa・m³/s. Der Gehalt an Bor- und Phosphorverunreinigungen beträgt höchstens 0,01 ppm. Es eignet sich für Produktionslinien für 12-Zoll-Photovoltaik-Einkristallsilizium, 8-Zoll-Halbleiter-Zonenveredelungssilizium und Kristallwachstumslinien für Siliziumkarbidsubstrate. Es ist ein zentrales Verbrauchsmaterial für den thermischen Bereich bei der Herstellung von Photovoltaik- und Halbleiter-Siliziummaterialien.
Photovoltaik CZ zieht monokristallines Silizium für die Massenproduktion (hauptsächlich von ausländischen Photovoltaikfabriken gekauft)
Geeignet für 6–12 Zoll große-große Puller-Einkristallöfen mit einem einzigen langen Kristallisationszyklus von bis zu 120–180 Stunden. Die Elektroden sorgen während des gesamten Prozesses für eine stabile Wärmeerzeugung, ohne dass es zu einer plötzlichen Gasfreisetzung kommt, die die Konvektion der Siliziumschmelze beeinträchtigt. Es wird das Passivierungsverfahren zur Mikrolochversiegelung angewendet, bei dem die winzigen Poren auf der Graphitoberfläche durch eine gleichmäßige und dichte Kohlenstoffschicht versiegelt werden, wodurch eine Korrosion durch Siliziumdampfdurchdringung unter der Argonatmosphäre verhindert wird. Die Elektrodenoberfläche weist keine Pulverisierung oder Ablösung von Kohlenstoffpartikeln auf, wodurch übermäßige Kohlenstoffverunreinigungen im Siliziummaterial vermieden werden.
Der Gehalt an Bor- und Phosphorverunreinigungen wird streng kontrolliert, wodurch Abweichungen im Widerstandsbereich von Siliziumwafern vom N--Typ/P--Typ vermieden werden. Die Schwankungsamplitude der Minoritätsträgerlebensdauer des Einkristalls pro Charge wird innerhalb von ±3 μs gesteuert, im Vergleich zu gewöhnlichen Graphitelektroden erhöht sich die Einkristallausbeute um 12–18 %. Der Gleichmäßigkeitsfehler des Elektrodenwiderstands beträgt weniger als oder gleich 0,3 μΩ・m, die Temperaturdifferenz des thermischen Feldes im Ofen wird auf ±4 Grad stabilisiert, wodurch sichergestellt wird, dass der Anteil des Abschnitts mit konstantem Durchmesser des Siliziumstabs größer oder gleich 92 % ist, was den Rohstoffverlust erheblich reduziert.
Anwendung in der Halbleiter-FZ-Zone zum Schmelzen hoch{0}reiner Siliziumchips-
Für Wachstumsbedingungen für hochreines Silizium (9N - 11N ultra-hochreines Silizium mit einer Zone von 8{{1}Zoll und kleiner) entspricht dieses Produkt dem SEMI F63-Standard für reinen Halbleitergraphit. Der gesamte Prozess ist frei von organischen Klebstoffen und schwefelhaltigen flüchtigen Verunreinigungen. Der Gesamtgehalt an Metallübergangsverunreinigungen Fe/Ni/Cu beträgt höchstens 0,2 ppm. Durch die geringe Abgaseigenschaft kann der Vakuumgrad im Ofen stabil bei 10⁻⁷ Pa oder mehr gehalten werden, und die Freisetzungsmenge flüchtiger Stoffe ist um 90 % niedriger als bei Industriestandardprodukten. Dadurch werden Defekte wie Chip-Leckage und unzureichende Durchbruchspannung, die durch Spurenverunreinigungen verursacht werden, vollständig vermieden.
Es kann mit einer hohlen, wasser-gekühlten Elektrodenstruktur individuell angepasst werden. Während des Kristallwachstums wird die Temperatur des Elektrodenkörpers um 300 Grad gesenkt, wodurch die Abgase bei hohen Temperaturen weiter unterdrückt und eine Anpassung an die Hochfrequenz-Schmelzproduktion in der kontinuierlichen Zone vorgenommen werden. Eine einzelne Elektrode kann stabil für mehr als 600 Öfen verwendet werden und deckt so den kontinuierlichen Produktionsbedarf von Halbleiterfabriken.
SiC-Karbonisierungs-Siliziumkarbid-Substrat-Kristallwachstumskit (aufstrebendes Gebiet der Halbleiter der dritten -Generation)
Die Wachstumstemperatur von SiC liegt bei 2100–2400 Grad. Bei solch hohen Temperaturen neigt gewöhnlicher Graphit dazu, CO und Kohlenwasserstoffgase freizusetzen, die die Integrität des SiC-Gitters beschädigen können. Dieses Produkt wird einer doppelten Verarbeitung unterzogen: einer Ultrahochtemperatur-Graphitierung bei 2700 Grad und einer Vakuumentgasung. Die Gesamtmenge der bei hohen Temperaturen freigesetzten gasförmigen Stoffe ist äußerst gering. Es ist außerdem in der Lage, Silizium-Kohlenstoffdampfkorrosion bei ultrahohen Temperaturen zu widerstehen, hat einen extrem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten und zeigt bei 2400-Grad-Zyklusaufheiz- und Abkühlzyklen keine Risse oder Verformungen.
Die Elektroden können mit Nicht-Standardgrößen von vertikalen PVT-SiC-Kristallwachstumsöfen kombiniert werden und unterstützen segmentierte Gewindedichtungsverbindungen. Die Kontaktwiderstandsschwankungen an den Verbindungspunkten sind äußerst gering, es gibt keine lokalen Überhitzungsaustrittsstellen und es können stabile SiC-Substrate mit niedriger -Defektdichte-hergestellt werden.
Differenzierte exklusive Verarbeitungstechnologie (völlig verschieden von gewöhnlichen Vakuum-Graphitelektroden)
1. Rohstoffauswahl: Wählen Sie ultra-fein-körnige (D50=5μm) isotrope Graphitrohlinge mit einem ursprünglichen Anteil an flüchtigen Bestandteilen von höchstens 0,03 %, wodurch die Abgasbasis aus der Quelle reduziert wird.
2. Mehrstufige Vakuumentgasung: Vakuumisolierung bei 1600 Grad inerter Atmosphäre für 72 Stunden, schichtweise Entfernung von Wasserdampf, freien Kohlenwasserstoffen und löslichen Verunreinigungen in Poren;
3. Mikro-Porenpassivierungsversiegelung: Chemische Dampfabscheidung bei niedriger-Temperatur einer dünnen Kohlenstoffschicht, um oberflächliche Mikro-poren zu füllen und die Freisetzungskanäle interner flüchtiger Stoffe nach außen zu blockieren;
4. Stressfreie, präzise Bearbeitung: Langsames Drahtschneiden + CNC-Spiegeldrehen, ohne Bearbeitungsrisse, keine Oberflächenporosität, wodurch neue Abluftkanäle nach der Bearbeitung entfallen;
5. Zerstörungsfreie Prüfung: Jede Elektrode führt die Helium-Erkennung der Abgasrate, die vollständige Prüfung von ICP-MS-Verunreinigungen und die Erkennung der Gleichmäßigkeit der Widerstandsrate durch, begleitet von einem Prüfbericht auf Halbleiterebene-für den Export.
Ultra-niedrige Abgasleistung in Halbleiterqualität
Die Gesamtabgasrate bei der Kristallwachstumsbedingung von 1600 Grad beträgt weniger als 8×10⁻¹⁰ Pa·m³/s, die Freisetzung flüchtiger Kohlenwasserstoffkomponenten beträgt weniger als 0,01 ppm, was 95 % niedriger ist als bei herkömmlichen Vakuum-Graphitelektroden, und die Gasverschmutzung der Siliziumschmelze wird vollständig eliminiert.
Äußerst strenge Kontrolle von Bor- und Phosphorverunreinigungen (Kernproblem des Einkristalls)
Bor kleiner oder gleich 0,01 ppm, Phosphor kleiner oder gleich 0,01 ppm, ohne Dotierungsinterferenz, die Gleichmäßigkeit des spezifischen Widerstands des Siliziumwafers wird um 40 % verbessert, geeignet für die synchrone Produktion von einkristallinem Silizium vom Typ N/P.
Geringe Ausatmung ohne Kohlenstoffverschmutzungsstruktur
Mikro-Porenversiegelung und Passivierungsbehandlung, die Porosität wird auf unter 0,12 % reduziert, während des Kristallwachstumsprozesses gibt es keine Graphitpulverablösung, die Zunahme an Kohlenstoffverunreinigungen in der Siliziumschmelze beträgt weniger als 0,02 ppm, was den Standards von hochreinem Silizium für Photovoltaik/Halbleiter entspricht.
Langfristig stabiles leitfähiges Wärmefeld
Der spezifische Widerstand bei Raumtemperatur beträgt 4,5–5,2 μΩ·m, der einheitliche Fehler des gesamten Elektrodenwiderstands beträgt weniger als oder gleich 0,3 μΩ·m, Dauerbetrieb bei 1650 Grad für 180 Stunden ohne Widerstandsdrift, der Temperaturunterschied des Wärmefelds beträgt weniger als oder gleich ± 4 Grad.
Warum uns wählen?
Spezialisierte Produktionslinie für monokristallines Silizium mit gezieltem Entgasungsprozess
2. Umfassendes System zur Kontrolle von dimensionalen Verunreinigungen in Halbleiterqualität
3. One-Stop-Anpassungsmöglichkeit zur Anpassung an die gängigen Einkristallöfen weltweit
4. Steigerung der Massenproduktionsausbeute durch unterstützende technische Unterstützung
5. Stabile Exportlieferung und vollständige Exportqualifikationen. Wir haben stets Standard--große Photovoltaik-Einkristallprodukte-auf Lager, und maßgeschneiderte-Artikel können innerhalb von 7–12 Tagen geliefert werden.
Produkttechnische Parametertabelle
| NEIN. | Inspektionsgegenstand | Siliziumkristall-Graphitelektrodenstandard mit geringer Ausgasung | Testerkennungsmethode |
|---|---|---|---|
| 1 | Rohstoffqualität | Feinkörniger 3D-isostatischer Halbleitergraphit (D50=5μm) | Partikelgrößen-Laseranalysator |
| 2 | Fester Kohlenstoffgehalt | Größer oder gleich 99,9998 % | Kohlenstoffanalysator für Hochtemperaturverbrennung |
| 3 | Gesamtaschegehalt | Weniger als oder gleich 2 ppm | ICP-MS Vollständige Elementerkennung |
| 4 | Gehalt an Borverunreinigungen | Weniger als oder gleich 0,01 ppm | Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma |
| 5 | Gehalt an Phosphorverunreinigungen | Weniger als oder gleich 0,01 ppm | ICP-MS Ultra-Spurenelementtest |
| 6 | Gesamte Übergangsmetallverunreinigung (Fe, Ni, Cu, Cr) | Weniger als oder gleich 0,2 ppm | ICP-MS Multi-Element-Scanning |
| 7 | Gesamtausgasungsrate (1600 Grad, Vakuum) | <8 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s | Helium-Leck-Vakuum-Ausgasungstester |
| 8 | Freisetzung flüchtiger Kohlenwasserstoffe | <0,01 ppm | Thermodesorptions-GC-MS-Test |
| 9 | Widerstand bei Raumtemperatur | 4.5 – 5.2 μΩ·m | Vier-Punkt-Sonden-Widerstandsmessgerät |
| 10 | Abweichung der Gleichmäßigkeit des spezifischen Widerstands | Kleiner oder gleich 0,3 μΩ·m | Multi-Hochpräzises-Widerstandsscannen |
| 11 | Schüttdichte | 1,88 – 1,91 g/cm³ | Archimedes-Dichtetest |
| 12 | Interne Porosität | ＜0.12 % | Quecksilberintrusionsporosimetrie |
| 13 | Wärmeausdehnungskoeffizient (25–1600 Grad) | 2,6 × 10⁻⁶ / Grad | Hochtemperatur-Dilatometer |
| 14 | Temperaturwechselbeständigkeitszyklen (1650 Grad ↔ RT) | Mehr als oder gleich 900 Zyklen ohne Riss | Alterungstest für thermische Zyklusöfen |
| 15 | Kontinuierliche Lebensdauer (CZ-Siliziumziehen) | 500+ Kristallwachstumschargen | Tatsächlicher Alterungstest im Ofenbetrieb |
| 16 | Arbeitstemperaturbereich | 1420 – 2400 Grad (Vakuum-Argon-Atmosphäre) | Hochtemperaturstabilitätstest |
| 17 | Oberflächenbehandlung | Mikroporenversiegelung und Passivierungskohlenstoffbeschichtung | Oberflächenrauheitsprofilometer (Ra kleiner oder gleich 0,6 μm) |
| 18 | Individuell verfügbare Struktur | Massiver Stab / Hohlwasser-gekühlt / Segmentierte Gewindeverbindung / Spezialnut | CNC-kundenspezifische Bearbeitungszeichnung |
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